中芯国际霸气官宣!全面自主国产化:N+1芯片制造工艺成功流片

【10月14日讯】众所周知,自从华为遭受到美国第二轮芯片禁令以后,我国芯片制造技术便成为了最需要攻克的难题,只有掌握了更好的芯片制造技术,才能更能够让中国企业在未来科技战中,拥有更大的优势可言,而无需再担忧遭到芯片断供危机,而我国技术最领先的芯片制造企业只有中芯国际一家,中芯国际是国内目前唯一掌握了14nm芯片制造工艺技术厂商,绝对是国产芯片最为重要的产业支柱。

中芯国际霸气官宣!全面自主国产化:N+1芯片制造工艺成功流片

虽然根据中芯国际所公布的数据显示,14nm工艺水准已经可以满足绝大部分的芯片制造需求,但相对于台积电、三星的5nm、7nm工艺水准,显然中芯国际的14nm制程工艺,是远远不够,所以中芯国际也推出了新一代芯片制造工艺——N+1工艺,但由于中芯国际N+1芯片制造工艺不够成熟,一直都未能够实现量产,终于在10月11日,中芯国际再次传来了好消息,那就是中芯国际FinFET N+1 先进工艺获得突破,根据芯动科技表示,已经完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试,并且实现了所有IP全面自主国产化,功能测试一次性通过,这意味着中芯国际FinFET N+1 先进工艺已经具备了成熟量产的条件。

中芯国际霸气官宣!全面自主国产化:N+1芯片制造工艺成功流片

根据中芯国际所对外公布的数据显示,中芯国际FinFET N+1 先进工艺,和现在14nm工艺对比,整体性能提升了将近20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%,整体工艺水平也是和台积电7nm工艺水准相差无几,要知道中芯国际实现7nm芯片量产,并没有使用到ASML的EUV光刻机,这意味着中芯国际的芯片制造工艺水平已经更加自主化、更加先进,未来国内芯片设计企业,只需要将芯片设计图纸交给中芯国际就可以完成量产,实现真正的国产化。

中芯国际霸气官宣!全面自主国产化:N+1芯片制造工艺成功流片

当然就在中芯国际取得了N+1工艺的突破前,台积电也对外官宣,目前正在朝着3nm芯片制造工艺,2nm芯片制造工艺发起挑战,所以中芯国际即便实现了7nm工艺芯片量产,但未来依旧不能够松懈,依旧还要不断地努力,才能够让国产芯片制造水平更进一步,为国产半导体生态链立下新功,能够让更多的国产芯片企业,避免遭受到断供危机,为国产科技企业提供稳定、可靠的国产芯片产业链体系。

中芯国际霸气官宣!全面自主国产化:N+1芯片制造工艺成功流片

确实对于国产芯片产业链而言,在国家不断地颁发优惠政策后,我们国内的企业更是不断地将资源投入到国产芯片产业链中,未来我们的国产芯片一定可以实现崛起,打破国外芯片技术的垄断,让国产芯片也能够朝着大规模量产高端芯片的目标迈进,从而可以实现在2025年之前,实现70%的国产芯片自给率目标;

中芯国际霸气官宣!全面自主国产化:N+1芯片制造工艺成功流片

最后:对于中芯国际正式取得了更加先进的芯片制造工艺水平(媲美台积电7nm工艺),不知道你们都有什么样的看法和意见呢?欢迎在评论区中留言讨论,期待你们的精彩评论!

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